Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $20.2200

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor 1N1187R

DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5
part number has RoHS
Производитель Модель :1N1187R
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :1N1187R-DS
Документация :pdf download 1N1187R Документация
Пользователи :
Описание : DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 20.2200$ 20.22
10+$ 16.9000$ 169
25+$ 15.7400$ 393.5
100+$ 14.1200$ 1412
300+$ 13.1400$ 3942
Запасы: 1515
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 20.22
Общая стоимость :$ 20.22
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

1N1187R information

  • GeneSiC Semiconductor 1N1187R технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
  • パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DO-5
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
  • 電流 - 平均整流 ( Io):35A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.2 V @ 35 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):300 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 190°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N1187R предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ