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SemiQ GP3D010A120A
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO220
- Производитель Модель :GP3D010A120A
- Производитель :SemiQ
- Dasenic :GP3D010A120A-DS
- Документация :
GP3D010A120A Документация
- Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO220
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 4.302Общая стоимость : $ 4.30
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Количество | цен | Общая стоимость |
1 + | $ 4.3020 | $ 4.30 |
10 + | $ 4.1760 | $ 41.76 |
100 + | $ 2.4930 | $ 249.30 |
500 + | $ 2.0610 | $ 1030.50 |
1000 + | $ 1.9080 | $ 1908.00 |
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SemiQ GP3D010A120A технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):10A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.65 V @ 10 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:20 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:608pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SemiQ GP3D010A120A
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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