Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.7380
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
NTE Electronics Inc. 2N2102
TRANS NPN 65V 1A TO39
Производитель Модель :2N2102
Производитель :NTE Electronics Inc.
Dasenic :2N2102-DS
Документация :
2N2102 Документация
2N2102 ДокументацияПользователи :
Описание : TRANS NPN 65V 1A TO39
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 0.7380 | $ 0.74 |
| 5+ | $ 0.4878 | $ 2.44 |
| 25+ | $ 0.2925 | $ 7.31 |
| 100+ | $ 0.2637 | $ 26.37 |
| 500+ | $ 0.2331 | $ 116.55 |
Запасы: 13674
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.738
Общая стоимость :$ 0.74
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
2N2102 information
NTE Electronics Inc. 2N2102 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:175°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Мощность - Макс.:1 W
- Пакет устройств поставщика:TO-39
- Тип транзистора:NPN
- Ток - Коллектор ( Ic) (Макс.):1 A
- Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.):65 V
- Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic:500mV @ 15mA, 150mA
- Ток - Отсечка коллектора (макс.):2nA (ICBO)
- Коэффициент усиления постоянного тока (h F E) (мин.) при Ic, Vce:40 @ 150mA, 10V
- Частота - Переход:-
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.29.0095
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2N2102 предоставлено NTE Electronics Inc.
Основанная в Нью-Джерси в 1979 году, компания NTE Electronics, Inc выросла из поставщика из маленького городка с десятью полупроводниками во всей своей линейке в крупнейшего поставщика полупроводников на вторичном рынке в отрасли. Сегодня наша линейка продукции состоит из более чем 23 000 устройств. В январе 2001 года NTE приобрела активы подразделения ECG компании Philips NA. С этим приобретением NTE стала лидером отрасли по поставкам электронных компонентов на вторичный рынок под частной торговой маркой для промышленного, коммерческого, потребительского и MRO-рынка. Штаб-квартира NTE площадью 40 000 квадратных футов в Блумфилде, штат Нью-Джерси, объединяет под одной крышей все основные услуги и инвентарь для непрерывной поставки электронных компонентов в ее всемирную сеть авторизованных дистрибьюторов. Устройства NTE прошли проверку качества, они использовались в космических проектах NASA, немецких автомобилях, больницах/медицинских приложениях и практически во всех типах потребительских товаров.
NTE Electronics Inc. Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
