Изображения предназначены только для справки.
1 : $8.4240
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor 1N3892R
DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Производитель Модель :1N3892R
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :1N3892R-DS
Документация :
1N3892R Документация
1N3892R ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 8.4240 | $ 8.42 |
| 10+ | $ 6.8382 | $ 68.38 |
| 25+ | $ 8.4240 | $ 210.6 |
| 100+ | $ 5.5521 | $ 555.21 |
| 250+ | $ 5.1102 | $ 1277.55 |
Запасы: 1692
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 8.424
Общая стоимость :$ 8.42
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
1N3892R information
GeneSiC Semiconductor 1N3892R технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AA, DO-4, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-4
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
- 電流 - 平均整流 ( Io):12A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.4 V @ 12 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:25 µA @ 50 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):400 V
- 逆回復時間 (trr):200 ns
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1N3892R предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
