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Linear Integrated Systems Inc. PAD10DFN 8L
DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN
Производитель Модель :PAD10DFN 8L
Производитель :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic :PAD10DFN 8L-DS
Документация :
PAD10DFN 8L Документация
PAD10DFN 8L ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 30V 10MA 8DFN
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PAD10DFN 8L information
Linear Integrated Systems Inc. PAD10DFN 8L технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-VFDFN Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (2x2)
- スピード:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):10mA
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.5 V @ 5 mA
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 pA @ 20 V
- 静電容量 @ Vr、 F:1.5pF @ 5V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):30 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PAD10DFN 8L предоставлено Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
Linear Integrated Systems Inc. Соответствующая продукция
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