Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $420.0600

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS DCG85X1200NA

DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
part number has RoHS
Производитель Модель :DCG85X1200NA
Производитель :IXYS
Dasenic :DCG85X1200NA-DS
Документация :pdf download DCG85X1200NA Документация
Пользователи :
Описание : DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
100+$ 420.0600$ 42006
Запасы: 1112
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 420.06
Общая стоимость :$ 420.06
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

DCG85X1200NA information

  • IXYS DCG85X1200NA технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 40 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:400 µA @ 1200 V
  • ダイオード構成:2 Independent
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):43A
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DCG85X1200NA предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ