Изображения предназначены только для справки.
1 : $3.1950
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Производитель Модель :IMZ120R220M1HXKSA1
Производитель :Infineon Technologies
Dasenic :IMZ120R220M1HXKSA1-DS
Документация :
IMZ120R220M1HXKSA1 Документация
IMZ120R220M1HXKSA1 ДокументацияПользователи :
Описание : SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 3.1950 | $ 3.2 |
| 25+ | $ 3.1320 | $ 78.3 |
| 100+ | $ 3.0060 | $ 300.6 |
| 500+ | $ 2.8800 | $ 1440 |
| 1000+ | $ 2.7180 | $ 2718 |
Запасы: 27360
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 3.195
Общая стоимость :$ 3.19
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
IMZ120R220M1HXKSA1 information
Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-247-4
- Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
- Пакет устройств поставщика:PG-TO247-4-1
- Рассеиваемая мощность (макс.):75W (Tc)
- Тип полевого транзистора:N-Channel
- Особенность полевого транзистора:-
- Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V
- Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:13A (Tc)
- Rds On (макс.) @ Id, Vgs:220mOhm @ 4A, 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id:5.7V @ 1.6mA
- Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:8.5 nC @ 18 V
- Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:289 pF @ 800 V
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V, 18V
- Vgs (макс.):+23V, -7V
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:Vendor omitted MSL Rating information
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.29.0095
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IMZ120R220M1HXKSA1 предоставлено Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
