Изображения предназначены только для справки.
1 : $43.3902
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1
MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3
- Производитель Модель :IGT40R070D1E8220ATMA1
- Производитель :Infineon Technologies
- Dasenic :IGT40R070D1E8220ATMA1-DS
- Документация :
IGT40R070D1E8220ATMA1 Документация - Описание : MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 43.3902Общая стоимость : $ 43.39
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 2510
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10 + | $ 43.3902 | $ 433.90 |
| 2000 + | $ 28.9268 | $ 57853.60 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Статус продукта:Obsolete
Рабочая температура:0°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:8-PowerSFN
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет устройств поставщика:PG-HSOF-8-3
Рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Тип полевого транзистора:N-Channel
Особенность полевого транзистора:-
Напряжение сток-исток ( Vdss):400 V
Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:31A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs:-
Vgs(th) (Макс) @ Id:1.6V @ 2.6mA
Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:-
Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:382 pF @ 320 V
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):-
Vgs (макс.):±10V
Регламент REACH:REACH Unaffected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.29.0095
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IGT40R070D1E8220ATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
IGT40R070D1E8220ATMA1 тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
