Изображения предназначены только для справки.
1 : $528.5000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MSRT200120(A)D
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Производитель Модель :MSRT200120(A)D
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MSRT200120(A)D-DS
Документация :
MSRT200120(A)D Документация
MSRT200120(A)D ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 20+ | $ 528.5000 | $ 10570 |
| 40+ | $ 278.9200 | $ 11156.8 |
| 60+ | $ 191.8200 | $ 11509.2 |
| 80+ | $ 187.9800 | $ 15038.4 |
Запасы: 2650
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 528.5
Общая стоимость :$ 528.50
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MSRT200120(A)D information
GeneSiC Semiconductor MSRT200120(A)D технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:Three Tower
- Пакет устройств поставщика:Three Tower
- Скорость:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Standard
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.1 V @ 200 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:10 µA @ 1200 V
- Конфигурация диода:1 Pair Series Connection
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):200A
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 150°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRT200120(A)D предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
