Изображения предназначены только для справки.
1 : $474.3200
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MSRT15060(A)D
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Производитель Модель :MSRT15060(A)D
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MSRT15060(A)D-DS
Документация :
MSRT15060(A)D Документация
MSRT15060(A)D ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 20+ | $ 474.3200 | $ 9486.4 |
| 40+ | $ 250.3400 | $ 10013.6 |
| 60+ | $ 172.1600 | $ 10329.6 |
| 80+ | $ 168.7200 | $ 13497.6 |
Запасы: 1999
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 474.32
Общая стоимость :$ 474.32
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MSRT15060(A)D information
GeneSiC Semiconductor MSRT15060(A)D технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Three Tower
- サプライヤーデバイスパッケージ:Three Tower
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 150 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
- ダイオード構成:1 Pair Series Connection
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):600 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):150A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MSRT15060(A)D предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
