Изображения предназначены только для справки.
1 : $47.1400
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR75100R
DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5
Производитель Модель :MBR75100R
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR75100R-DS
Документация :
MBR75100R Документация
MBR75100R ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY REV 100V DO5
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 100+ | $ 47.1400 | $ 4714 |
| 200+ | $ 44.9800 | $ 8996 |
| 400+ | $ 42.9800 | $ 17192 |
Запасы: 1194
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 47.14
Общая стоимость :$ 47.14
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR75100R information
GeneSiC Semiconductor MBR75100R технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
- パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
- サプライヤーデバイスパッケージ:DO-5
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky, Reverse Polarity
- 電流 - 平均整流 ( Io):75A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:840 mV @ 75 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 20 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-65°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR75100R предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
