Изображения предназначены только для справки.
1 : $15.8940
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR3535
DIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4
Производитель Модель :MBR3535
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR3535-DS
Документация :
MBR3535 Документация
MBR3535 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 15.8940 | $ 15.89 |
| 10+ | $ 13.5000 | $ 135 |
| 25+ | $ 12.6540 | $ 316.35 |
| 100+ | $ 11.4660 | $ 1146.6 |
| 250+ | $ 10.7460 | $ 2686.5 |
Запасы: 1543
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 15.894
Общая стоимость :$ 15.89
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR3535 information
GeneSiC Semiconductor MBR3535 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis, Stud Mount
- Упаковка / Кейс:DO-203AA, DO-4, Stud
- Пакет устройств поставщика:DO-4
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):35A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:680 mV @ 35 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:1.5 mA @ 20 V
- Емкость @ Vr, Ф:-
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):35 V
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 150°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR3535 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
