Изображения предназначены только для справки.
1 : $88.9290
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR30045CT
DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
Производитель Модель :MBR30045CT
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR30045CT-DS
Документация :
MBR30045CT Документация
MBR30045CT ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 88.9290 | $ 88.93 |
| 10+ | $ 77.8410 | $ 778.41 |
| 25+ | $ 73.8180 | $ 1845.45 |
| 40+ | $ 70.9200 | $ 2836.8 |
Запасы: 1628
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 88.929
Общая стоимость :$ 88.93
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR30045CT information
GeneSiC Semiconductor MBR30045CT технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:Twin Tower
- Пакет устройств поставщика:Twin Tower
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:650 mV @ 150 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:8 mA @ 20 V
- Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):45 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):150A
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 150°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR30045CT предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
