Изображения предназначены только для справки.
1 : $111.5200
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR2X120A180
DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
- Производитель Модель :MBR2X120A180
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :MBR2X120A180-DS
- Документация :
MBR2X120A180 Документация - Описание : DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 111.52Общая стоимость : $ 111.52
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 693
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 26 + | $ 111.5200 | $ 2899.52 |
| 52 + | $ 106.3800 | $ 5531.76 |
| 104 + | $ 101.6800 | $ 10574.72 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor MBR2X120A180 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Статус продукта:Active
Тип крепления:Chassis Mount
Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика:SOT-227
Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода:Schottky
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:920 mV @ 120 A
Ток - обратная утечка @ Vr:3 mA @ 180 V
Конфигурация диода:2 Independent
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):180 V
Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):120A
Время обратного восстановления (trr):-
Рабочая температура - соединение:-40°C ~ 150°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.10.0080
Регламент REACH:REACH is not affected
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
MBR2X120A180 тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
