1 / 1

1 : $48.4650

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045

Name: MBR2X080A045
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: MBR2X080A045-DS
Price: 48.4650 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1529

MOQ: 1

5 Уровни цен

Производитель Модель :MBR2X080A045
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic # :MBR2X080A045-DS
Документация : MBR2X080A045 Документация PDF
Описание : DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $48.4650
Общая стоимость: $48.47

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$48.4650	-
2-10	$42.0552	13.2% Сохранять
11-25	$48.4650	-
26-50	$38.0855	21.4% Сохранять
51-100	$36.4925	24.7% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045 технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

Статус продукта:Active

Тип крепления:Chassis Mount

Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC

Пакет устройств поставщика:SOT-227

Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Тип диода:Schottky

Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:700 mV @ 80 A

Ток - обратная утечка @ Vr:1 mA @ 45 V

Конфигурация диода:2 Independent

Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):45 V

Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):80A

Время обратного восстановления (trr):-

Рабочая температура - соединение:-40°C ~ 150°C

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.10.0080

Регламент REACH:REACH is not affected

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

MBR2X080A045 предоставлено GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.