Изображения предназначены только для справки.
1 : $48.4650
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045
DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
Производитель Модель :MBR2X080A045
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR2X080A045-DS
Документация :
MBR2X080A045 Документация
MBR2X080A045 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 48.4650 | $ 48.47 |
| 10+ | $ 42.0552 | $ 420.55 |
| 25+ | $ 48.4650 | $ 1211.63 |
| 50+ | $ 38.0855 | $ 1904.28 |
| 100+ | $ 36.4925 | $ 3649.25 |
Запасы: 1529
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 48.465
Общая стоимость :$ 48.47
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR2X080A045 information
GeneSiC Semiconductor MBR2X080A045 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:700 mV @ 80 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:1 mA @ 45 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):45 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):80A
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR2X080A045 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
