Изображения предназначены только для справки.
1 : $148.0600
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR
DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
Производитель Модель :MBR12080CTR
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :MBR12080CTR-DS
Документация :
MBR12080CTR Документация
MBR12080CTR ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE MODULE 80V 120A 2TOWER
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 20+ | $ 148.0600 | $ 2961.2 |
| 40+ | $ 141.2400 | $ 5649.6 |
| 80+ | $ 135.0000 | $ 10800 |
Запасы: 2624
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 148.06
Общая стоимость :$ 148.06
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
MBR12080CTR information
GeneSiC Semiconductor MBR12080CTR технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:Twin Tower
- Пакет устройств поставщика:Twin Tower
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:840 mV @ 60 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:3 mA @ 20 V
- Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):80 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):120A (DC)
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR12080CTR предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
