Изображения предназначены только для справки.
1 : $6.3840
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor KBPC3501T
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A KBPC
Производитель Модель :KBPC3501T
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :KBPC3501T-DS
Документация :
KBPC3501T Документация
KBPC3501T ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A KBPC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 6.3840 | $ 63.84 |
| 250+ | $ 5.3200 | $ 1330 |
| 500+ | $ 5.0800 | $ 2540 |
| 1000+ | $ 4.8600 | $ 4860 |
Запасы: 2995
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 6.384
Общая стоимость :$ 6.38
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
KBPC3501T information
GeneSiC Semiconductor KBPC3501T технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:QC Terminal
- Упаковка / Кейс:4-Square, KBPC-T
- Технологии:Standard
- Пакет устройств поставщика:KBPC
- Тип диода:Single Phase
- Напряжение - пиковое обратное (макс.):100 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io):35 A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.1 V @ 17.5 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:5 µA @ 100 V
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
KBPC3501T предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
