Изображения предназначены только для справки.
1 : $9.2384
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J
1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
- Производитель Модель :GD30MPS12J
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :GD30MPS12J-DS
- Документация :
GD30MPS12J Документация - Описание : 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 9.2384Общая стоимость : $ 9.24
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 4500
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 50 + | $ 9.2384 | $ 461.92 |
| 100 + | $ 8.5087 | $ 850.87 |
| 250 + | $ 8.2427 | $ 2060.68 |
| 500 + | $ 8.0523 | $ 4026.15 |
| 1000 + | $ 7.9001 | $ 7900.10 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Статус продукта:Active
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Пакет устройств поставщика:TO-263-7
Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
Тип диода:Silicon Carbide Schottky
Ток - средний выпрямленный ( Io):30A (DC)
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:-
Ток - обратная утечка @ Vr:-
Емкость @ Vr, Ф:-
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
Время обратного восстановления (trr):0 ns
Рабочая температура - соединение:175°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Регламент REACH:REACH is not affected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GD30MPS12J
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
GD30MPS12J тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
