Изображения предназначены только для справки.
1 : $30.5010
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N
1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
Производитель Модель :GD2X30MPS12N
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GD2X30MPS12N-DS
Документация :
GD2X30MPS12N Документация
GD2X30MPS12N ДокументацияПользователи :
Описание : 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 30.5010 | $ 30.5 |
| 10+ | $ 27.9990 | $ 279.99 |
| 30+ | $ 27.0630 | $ 811.89 |
| 100+ | $ 25.7130 | $ 2571.3 |
| 250+ | $ 24.8490 | $ 6212.25 |
Запасы: 1700
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 30.501
Общая стоимость :$ 30.50
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GD2X30MPS12N information
GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Пакет устройств поставщика:SOT-227
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:-
- Ток - обратная утечка @ Vr:-
- Конфигурация диода:2 Independent
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):52A (DC)
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD2X30MPS12N предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
