Изображения предназначены только для справки.
1 : $9.5940
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D
DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
Производитель Модель :GD2X30MPS12D
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GD2X30MPS12D-DS
Документация :
GD2X30MPS12D Документация
GD2X30MPS12D ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 9.5940 | $ 9.59 |
| 5+ | $ 9.5940 | $ 47.97 |
| 10+ | $ 9.5940 | $ 95.94 |
| 25+ | $ 9.5940 | $ 239.85 |
| 50+ | $ 9.5940 | $ 479.7 |
Запасы: 3480
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 9.594
Общая стоимость :$ 9.59
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GD2X30MPS12D information
GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-247-3
- Пакет устройств поставщика:TO-247-3
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 30 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:20 µA @ 1200 V
- Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):55A (DC)
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD2X30MPS12D предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
