1 / 1

1 : $54.7400

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247

Name: GC2X20MPS12-247
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GC2X20MPS12-247-DS
Price: 54.7400 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1690

MOQ: 1

3 Уровни цен

Производитель Модель :GC2X20MPS12-247
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic # :GC2X20MPS12-247-DS
Документация : GC2X20MPS12-247 Документация PDF
Описание : SIC DIODE 1200V 40A TO-247-3
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $54.7400
Общая стоимость: $54.74

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$54.7400	-
2-5	$53.3400	2.6% Сохранять
6-10	$51.9400	5.1% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

Статус продукта:Not For New Designs

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Пакет устройств поставщика:TO-247-3

Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

Тип диода:Silicon Carbide Schottky

Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 20 A

Ток - обратная утечка @ Vr:18 µA @ 1200 V

Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode

Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V

Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):90A (DC)

Время обратного восстановления (trr):0 ns

Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Регламент REACH:REACH Unaffected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.10.0080

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

GC2X20MPS12-247 предоставлено GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.