1 / 1

1 : $182.4200

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227

Name: GC2X100MPS06-227
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GC2X100MPS06-227-DS
Price: 182.4200 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 2789

MOQ: 1

3 Уровни цен

Производитель Модель :GC2X100MPS06-227
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic # :GC2X100MPS06-227-DS
Документация : GC2X100MPS06-227 Документация PDF
Описание : DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $182.4200
Общая стоимость: $182.42

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-50	$182.4200	-
51-100	$174.0000	4.6% Сохранять
101-200	$166.3400	8.8% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227 технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

Статус продукта:Active

Тип крепления:Chassis Mount

Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC

Пакет устройств поставщика:SOT-227

Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

Тип диода:Silicon Carbide Schottky

Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 50 A

Ток - обратная утечка @ Vr:20 µA @ 650 V

Конфигурация диода:2 Independent

Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V

Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):209A (DC)

Время обратного восстановления (trr):0 ns

Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Регламент REACH:REACH Unaffected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.10.0080

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

GC2X100MPS06-227 предоставлено GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.