Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $8.1000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252

SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
part number has RoHS
Производитель Модель :GC08MPS12-252
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GC08MPS12-252-DS
Документация :pdf download GC08MPS12-252 Документация
Пользователи :
Описание : SIC DIODE 1200V 8A TO-252-2
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 8.1000$ 8.1
Запасы: 1078
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 8.1
Общая стоимость :$ 8.10
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GC08MPS12-252 information

  • GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電流 - 平均整流 ( Io):40A (DC)
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 8 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:7 µA @ 1200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:545pF @ 1V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GC08MPS12-252 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ