Изображения предназначены только для справки.
1 : $9.8400
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220
SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2
Производитель Модель :GC05MPS12-220
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GC05MPS12-220-DS
Документация :
GC05MPS12-220 Документация
GC05MPS12-220 ДокументацияПользователи :
Описание : SIC DIODE 1200V 5A TO-220-2
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 9.8400 | $ 98.4 |
| 750+ | $ 8.2000 | $ 6150 |
| 1000+ | $ 7.1400 | $ 7140 |
Запасы: 2606
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 9.84
Общая стоимость :$ 9.84
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GC05MPS12-220 information
GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Not For New Designs
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-220-2
- Пакет устройств поставщика:TO-220-2
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):29A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 5 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:4 µA @ 1200 V
- Емкость @ Vr, Ф:359pF @ 1V, 1MHz
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:Vendor is not defined
- Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GC05MPS12-220 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
