Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $4.2300

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor GBL02

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL
part number has RoHS
Производитель Модель :GBL02
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBL02-DS
Документация :pdf download GBL02 Документация
Пользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A GBL
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 4.2300$ 4.23
10+$ 3.5460$ 35.46
25+$ 3.3120$ 82.8
100+$ 2.9700$ 297
250+$ 2.7720$ 693
Запасы: 5898
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 4.23
Общая стоимость :$ 4.23
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GBL02 information

  • GeneSiC Semiconductor GBL02 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-SIP, GBL
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:GBL
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):200 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):4 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 4 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 µA @ 200 V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBL02 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ