Изображения предназначены только для справки.
1 : $3.6300
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GBJ30J
600V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Производитель Модель :GBJ30J
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBJ30J-DS
Документация :
GBJ30J Документация
GBJ30J ДокументацияПользователи :
Описание : 600V 30A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 3.6300 | $ 36.3 |
| 1000+ | $ 2.4200 | $ 2420 |
| 2000+ | $ 2.3000 | $ 4600 |
| 4000+ | $ 2.2000 | $ 8800 |
Запасы: 2968
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 3.63
Общая стоимость :$ 3.63
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GBJ30J information
GeneSiC Semiconductor GBJ30J технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:4-SIP, GBJ
- Технологии:Standard
- Пакет устройств поставщика:GBJ
- Тип диода:Single Phase
- Напряжение - пиковое обратное (макс.):600 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io):30 A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.05 V @ 15 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:5 µA @ 600 V
- Базовый номер продукта:GBJ30
- Упаковка:Bulk
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ30J предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
