Изображения предназначены только для справки.
1 : $76.7340
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227
Производитель Модель :GB2X50MPS17-227
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GB2X50MPS17-227-DS
Документация : GB2X50MPS17-227 Документация
Пользователи :
Описание : DIODE MOD SCHOTTKY 1700V SOT227
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
Запасы: 1700
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 76.734
Общая стоимость :$ 76.73
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GB2X50MPS17-227 information
GeneSiC Semiconductor GB2X50MPS17-227 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Пакет устройств поставщика:SOT-227
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 50 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:50 µA @ 1700 V
- Конфигурация диода:2 Independent
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1700 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):136A (DC)
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GB2X50MPS17-227 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.