Изображения предназначены только для справки.
1 : $175.5000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
- Производитель Модель :GB2X100MPS12-227
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :GB2X100MPS12-227-DS
- Документация :
GB2X100MPS12-227 Документация - Описание : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 175.5Общая стоимость : $ 175.50
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 1527
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1 + | $ 175.5000 | $ 175.50 |
| 10 + | $ 153.0900 | $ 1530.90 |
| 100 + | $ 130.4280 | $ 13042.80 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Статус продукта:Active
Тип крепления:Chassis Mount
Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика:SOT-227
Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
Тип диода:Silicon Carbide Schottky
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 100 A
Ток - обратная утечка @ Vr:80 µA @ 1200 V
Конфигурация диода:2 Independent
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):185A (DC)
Время обратного восстановления (trr):0 ns
Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Регламент REACH:REACH Unaffected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.10.0080
Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GB2X100MPS12-227
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
GB2X100MPS12-227 тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
