Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $360.0000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227

    IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :GB100XCP12-227
  • Производитель :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic :GB100XCP12-227-DS
  • Документация :pdf download GB100XCP12-227 Документация
  • Описание : IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 360Общая стоимость : $ 360.00
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 2943
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
150 +$ 360.0000$ 54000.00

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
構成:Single
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):1 mA
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2V @ 15V, 100A
入力容量 ( Cies) @ Vce:8.55 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:No
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ