Изображения предназначены только для справки.
1 : $16.7100
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263
1700V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
- Производитель Модель :GB05MPS17-263
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :GB05MPS17-263-DS
- Документация :
GB05MPS17-263 Документация - Описание : 1700V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 16.71Общая стоимость : $ 16.71
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 2756
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10 + | $ 16.7100 | $ 167.10 |
| 2000 + | $ 11.1400 | $ 22280.00 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Статус продукта:Active
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Пакет устройств поставщика:TO-263-7
Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
Тип диода:Silicon Carbide Schottky
Ток - средний выпрямленный ( Io):18A (DC)
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:-
Ток - обратная утечка @ Vr:-
Емкость @ Vr, Ф:470pF @ 1V, 1MHz
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1700 V
Время обратного восстановления (trr):-
Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Регламент REACH:REACH Unaffected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.10.0080
Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GB05MPS17-263
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
GB05MPS17-263 тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
