Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.4670
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214
DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
Производитель Модель :GB01SLT06-214
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GB01SLT06-214-DS
Документация :
GB01SLT06-214 Документация
GB01SLT06-214 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.4670 | $ 1.47 |
| 10+ | $ 1.2690 | $ 12.69 |
| 25+ | $ 1.1970 | $ 29.93 |
| 100+ | $ 1.0980 | $ 109.8 |
| 250+ | $ 1.0440 | $ 261 |
Запасы: 15180
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.467
Общая стоимость :$ 1.47
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GB01SLT06-214 information
GeneSiC Semiconductor GB01SLT06-214 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:DO-214AA, SMB
- Пакет устройств поставщика:DO-214AA
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):1A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:2 V @ 1 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:10 µA @ 6.5 V
- Емкость @ Vr, Ф:76pF @ 1V, 1MHz
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GB01SLT06-214 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
