Главная страница
/
Дискретные полупроводниковые приборы
/
Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - массивы
/
GeneSiC Semiconductor - GA100SCPL12-227E

1 / 1

1 : $357.5000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E

Name: GA100SCPL12-227E
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: GA100SCPL12-227E-DS
Price: 357.5000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 500

MOQ: 1

1 Уровни цен

Производитель Модель :GA100SCPL12-227E
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic # :GA100SCPL12-227E-DS
Документация : GA100SCPL12-227E Документация PDF
Описание : SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $357.5000
Общая стоимость: $357.50

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-50	$357.5000	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor GA100SCPL12-227E технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Статус продукта:Obsolete

Рабочая температура:-

Тип крепления:-

Упаковка / Кейс:-

Мощность - Макс.:-

Пакет устройств поставщика:-

Тип полевого транзистора:-

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):-

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:-

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:-

Vgs(th) (Макс) @ Id:-

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:-

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:-

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:Vendor is not defined

Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

GA100SCPL12-227E предоставлено GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.