1 / 1
1 : $13.1760
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J
Запасы: 3900
MOQ: 1
4 Уровни цен
- Производитель Модель :G3R160MT17J
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic # :G3R160MT17J-DS
- Документация : G3R160MT17J Документация PDF
- Описание : SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Упаковка :-
- Получить предложение от продавца: $13.1760Общая стоимость: $13.18
Количество | Получить предложение от продавца | Сохранять |
---|---|---|
1-10 | $13.1760 | - |
11-500 | $10.9800 | 16.7% Сохранять |
501-1000 | $10.4670 | 20.6% Сохранять |
1001-2000 | $10.0080 | 24.0% Сохранять |
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Статус продукта:Active
Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
Пакет устройств поставщика:TO-263-7
Рассеиваемая мощность (макс.):187W (Tc)
Тип полевого транзистора:N-Channel
Особенность полевого транзистора:-
Напряжение сток-исток ( Vdss):1700 V
Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:22A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs:208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id:2.7V @ 5mA
Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:51 nC @ 15 V
Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:1272 pF @ 1000 V
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V
Vgs (макс.):±15V
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.29.0095
Регламент REACH:REACH is not affected
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G3R160MT17J предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Рейтинги и обзоры
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
Good Experience
Sarah M.
Smooth transaction process and responsive customer support. Highly recommended!
Satisfied
Mike R.
Accurate product description and arrived earlier than expected.
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.