
Изображения предназначены только для справки.
1 : $5.8320
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Производитель Модель :G3R160MT12J
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :G3R160MT12J-DS
- Документация :
G3R160MT12J Документация
- Описание : SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 5.832Общая стоимость : $ 5.83
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 6000
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
Количество | цен | Общая стоимость |
10 + | $ 5.8320 | $ 58.32 |
2000 + | $ 3.8880 | $ 7776.00 |
2500 + | $ 3.6450 | $ 9112.50 |
3000 + | $ 3.4965 | $ 10489.50 |
5000 + | $ 3.3156 | $ 16578.00 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Статус продукта:Active
Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)
Пакет устройств поставщика:TO-263-7
Рассеиваемая мощность (макс.):128W (Tc)
Тип полевого транзистора:N-Channel
Особенность полевого транзистора:-
Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V
Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:22A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs:192mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id:2.69V @ 5mA
Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:28 nC @ 15 V
Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:730 pF @ 800 V
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V
Vgs (макс.):±15V
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.29.0095
Регламент REACH:REACH is not affected
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
G3R160MT12J тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.