Изображения предназначены только для справки.
1 : $6.4170
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor FR6A02
DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Производитель Модель :FR6A02
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :FR6A02-DS
Документация :
FR6A02 Документация
FR6A02 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 6.4170 | $ 6.42 |
| 10+ | $ 5.2200 | $ 52.2 |
| 25+ | $ 4.8060 | $ 120.15 |
| 100+ | $ 4.2480 | $ 424.8 |
Запасы: 1676
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 6.417
Общая стоимость :$ 6.42
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
FR6A02 information
GeneSiC Semiconductor FR6A02 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis, Stud Mount
- Упаковка / Кейс:DO-203AA, DO-4, Stud
- Пакет устройств поставщика:DO-4
- Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода:Standard
- Ток - средний выпрямленный ( Io):6A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.4 V @ 6 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:25 µA @ 50 V
- Емкость @ Vr, Ф:-
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):50 V
- Время обратного восстановления (trr):200 ns
- Рабочая температура - соединение:-65°C ~ 150°C
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FR6A02 предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
