Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.9000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor DB151G
BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DB
Производитель Модель :DB151G
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :DB151G-DS
Документация :
DB151G Документация
DB151G ДокументацияПользователи :
Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DB
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 0.9000 | $ 9 |
| 5000+ | $ 0.5000 | $ 2500 |
| 10000+ | $ 0.4800 | $ 4800 |
| 20000+ | $ 0.4600 | $ 9200 |
Запасы: 2296
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.9
Общая стоимость :$ 0.90
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
DB151G information
GeneSiC Semiconductor DB151G технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- Технологии:Standard
- Пакет устройств поставщика:DB
- Тип диода:Single Phase
- Напряжение - пиковое обратное (макс.):50 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io):1.5 A
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.1 V @ 1.5 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:5 µA @ 50 V
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DB151G предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
