1 / 1

1 : $465.0000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA

Name: 2N7637-GA
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 2N7637-GA-DS
Price: 465.0000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 2527

MOQ: 1

1 Уровни цен

Производитель Модель :2N7637-GA
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic # :2N7637-GA-DS
Документация : 2N7637-GA Документация PDF
Описание : TRANS SJT 650V 7A TO257
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $465.0000
Общая стоимость: $465.00

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-10	$465.0000	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Obsolete

Рабочая температура:-55°C ~ 225°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-257-3

Технологии:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Пакет устройств поставщика:TO-257

Рассеиваемая мощность (макс.):80W (Tc)

Тип полевого транзистора:-

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):650 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:7A (Tc) (165°C)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:170mOhm @ 7A

Vgs(th) (Макс) @ Id:-

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:-

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:720 pF @ 35 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):-

Vgs (макс.):-

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:Vendor is not defined

Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

2N7637-GA предоставлено GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.