Изображения предназначены только для справки.
1 : $30.0000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GaNPower GPI65030DFN
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Производитель Модель :GPI65030DFN
Производитель :GaNPower
Dasenic :GPI65030DFN-DS
Документация :
GPI65030DFN Документация
GPI65030DFN ДокументацияПользователи :
Описание : GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 30.0000 | $ 30 |
Запасы: 561
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 30
Общая стоимость :$ 30.00
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GPI65030DFN information
GaNPower GPI65030DFN технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Die
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:1.2V @ 3.5mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:5.8 nC @ 6 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:241 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V
- Vgs (最大):+7.5V, -12V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GPI65030DFN предоставлено GaNPower
GaNPower Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
