Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $0.1380

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Formosa Microsemi Co., Ltd. FM1V40-N-H

LOW VF SCHOTTKY BARRIER 40V, 100
part number has RoHS
Производитель Модель :FM1V40-N-H
Производитель :Formosa Microsemi Co., Ltd.
Dasenic :FM1V40-N-H-DS
Документация :pdf download FM1V40-N-H Документация
Пользователи :
Описание : LOW VF SCHOTTKY BARRIER 40V, 100
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 0.1380$ 1.38
2000+$ 0.0920$ 184
4000+$ 0.0874$ 349.6
6000+$ 0.0920$ 552
Запасы: 1312
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.138
Общая стоимость :$ 0.14
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

FM1V40-N-H information

  • Formosa Microsemi Co., Ltd. FM1V40-N-H технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:SOD-323
  • サプライヤーデバイスパッケージ:SOD-323
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 1A (Io)
  • ダイオードタイプ:Schottky
  • 電流 - 平均整流 ( Io):1A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:400 mV @ 40 V
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:500 mA @ 40 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:-
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):40 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 125°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FM1V40-N-H предоставлено Formosa Microsemi Co., Ltd.
Formosa Microsemi Co., Ltd.は1996年に設立されました。創業以来、半導体の専門生産に専念してきました。当社は主にスイッチングダイオード、高速ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーダイオード、TVSおよびESD、ブリッジ整流器、MOSFET、トランジスタ、その他のウェーハおよびパッケージ製品を生産しています。また、ISO9001、ISO14001、IATF16949などの品質認証も取得しており、車両仕様コンポーネントのAEC-Q101検証手順も持っています。また、R&Dの成果により、米国、中国、日本、台湾など多くの国で特許を取得しています。製品の用途には、航空宇宙、自動車、ネットワーキング、5G、3C、AIインテリジェンス、携帯電話、ウェアラブルデバイス、パネル、電源などがあります。 Formosa Microsemi の台湾における製造拠点と本社は、宜蘭県宜蘭市にあります。当社は、中国、アジア、ヨーロッパ、アメリカなど世界各地に営業所を持ち、世界中のお客様に高品質の製品とサービスを提供しています。
Formosa Microsemi Co., Ltd. Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ