Изображения предназначены только для справки.
1 : $3.5550
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Wolfspeed C3M0160120D
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Производитель Модель :C3M0160120D
Производитель :Wolfspeed
Dasenic :C3M0160120D-DS
Документация :
C3M0160120D Документация
C3M0160120D ДокументацияПользователи :
Описание : SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 3.5550 | $ 3.56 |
| 10+ | $ 3.5460 | $ 35.46 |
| 50+ | $ 3.4920 | $ 174.6 |
| 100+ | $ 3.4830 | $ 348.3 |
| 200+ | $ 3.4740 | $ 694.8 |
Запасы: 11340
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 3.555
Общая стоимость :$ 3.56
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
C3M0160120D information
Wolfspeed C3M0160120D технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
- 消費電力（最大）:97W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:17A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:208mOhm @ 8.5A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 2.33mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:38 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:632 pF @ 1000 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+15V, -4V
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0160120D предоставлено Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
Wolfspeed Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
