Изображения предназначены только для справки.
1 : $7.0740
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
UnitedSiC UJ3D1220K2
1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
Производитель Модель :UJ3D1220K2
Производитель :UnitedSiC
Dasenic :UJ3D1220K2-DS
Документация :
UJ3D1220K2 Документация
UJ3D1220K2 ДокументацияПользователи :
Описание : 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 7.0740 | $ 7.07 |
| 25+ | $ 6.1470 | $ 153.68 |
| 100+ | $ 5.3100 | $ 531 |
| 250+ | $ 4.7430 | $ 1185.75 |
| 600+ | $ 4.7340 | $ 2840.4 |
Запасы: 5652
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 7.074
Общая стоимость :$ 7.07
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
UJ3D1220K2 information
UnitedSiC UJ3D1220K2 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-247-2
- Пакет устройств поставщика:TO-247-2
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):20A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.7 V @ 20 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:190 µA @ 1200 V
- Емкость @ Vr, Ф:810pF @ 1V, 1MHz
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ3D1220K2 предоставлено UnitedSiC
В 1999 году небольшая группа исследователей из Ратгерского университета основала UnitedSiC. В 2010 году UnitedSiC построила пилотное производство чистой комнаты недалеко от Принстона, штат Нью-Джерси, чтобы усовершенствовать процессы SiC до стадии, на которой их можно было бы напрямую установить в коммерческом литейном производстве. На этом этапе UnitedSiC стала компанией без собственных производственных мощностей, сосредоточив свои ресурсы на проектировании продукции, НИОКР и поддержке клиентов. 3 ноября 2021 года Qorvo объявила о приобретении UnitedSiC, и UnitedSiC стала частью бизнеса Qorvo Infrastructure & Defense Products (IDP). Технология UnitedSiC вместе с дополнительными продуктами Qorvo Programmable Power Management и возможностями цепочки поставок мирового класса позволят UnitedSiC обеспечить превосходный уровень энергоэффективности в самых передовых приложениях. Клиенты по всему миру теперь используют полевые транзисторы UnitedSiC, полевые транзисторы JFET и диоды Шоттки в новых зарядных устройствах для электромобилей, источниках питания переменного и постоянного тока, твердотельных автоматических выключателях, приводах двигателей с регулируемой скоростью и инверторах солнечных батарей.
UnitedSiC Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
