Обратная связь
Русский

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $36.9720

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

UnitedSiC UF3SC120016K4S

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
part number has RoHS
Производитель Модель :UF3SC120016K4S
Производитель :UnitedSiC
Dasenic :UF3SC120016K4S-DS
Пользователи :
Описание : SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 36.9720$ 36.97
25+$ 36.9720$ 924.3
50+$ 36.9720$ 1848.6
100+$ 36.9720$ 3697.2
250+$ 36.9720$ 9243
Запасы: 3321
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 36.972
Общая стоимость :$ 36.97
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

UF3SC120016K4S information

  • UnitedSiC UF3SC120016K4S технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Статус продукта:Active
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип крепления:Through Hole
  • Упаковка / Кейс:TO-247-4
  • Технологии:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Пакет устройств поставщика:TO-247-4
  • Рассеиваемая мощность (макс.):517W (Tc)
  • Тип полевого транзистора:N-Channel
  • Особенность полевого транзистора:-
  • Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V
  • Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:107A (Tc)
  • Rds On (макс.) @ Id, Vgs:21mOhm @ 50A, 12V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
  • Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:218 nC @ 15 V
  • Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:7824 pF @ 800 V
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
  • Vgs (макс.):±20V
  • Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
  • Классификация MSL:Vendor omitted MSL Rating information
  • Регламент REACH:REACH Unaffected
  • Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
  • ХТС США:8541.29.0095
  • Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UF3SC120016K4S предоставлено UnitedSiC
В 1999 году небольшая группа исследователей из Ратгерского университета основала UnitedSiC. В 2010 году UnitedSiC построила пилотное производство чистой комнаты недалеко от Принстона, штат Нью-Джерси, чтобы усовершенствовать процессы SiC до стадии, на которой их можно было бы напрямую установить в коммерческом литейном производстве. На этом этапе UnitedSiC стала компанией без собственных производственных мощностей, сосредоточив свои ресурсы на проектировании продукции, НИОКР и поддержке клиентов. 3 ноября 2021 года Qorvo объявила о приобретении UnitedSiC, и UnitedSiC стала частью бизнеса Qorvo Infrastructure & Defense Products (IDP). Технология UnitedSiC вместе с дополнительными продуктами Qorvo Programmable Power Management и возможностями цепочки поставок мирового класса позволят UnitedSiC обеспечить превосходный уровень энергоэффективности в самых передовых приложениях. Клиенты по всему миру теперь используют полевые транзисторы UnitedSiC, полевые транзисторы JFET и диоды Шоттки в новых зарядных устройствах для электромобилей, источниках питания переменного и постоянного тока, твердотельных автоматических выключателях, приводах двигателей с регулируемой скоростью и инверторах солнечных батарей.
UnitedSiC Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ