Изображения предназначены только для справки.
1 : $36.9720
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
UnitedSiC UF3SC120016K4S
Производитель Модель :UF3SC120016K4S
Производитель :UnitedSiC
Dasenic :UF3SC120016K4S-DS
Документация : UF3SC120016K4S Документация
Пользователи :
Описание : SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
Запасы: 3321
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 36.972
Общая стоимость :$ 36.97
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
UF3SC120016K4S information
UnitedSiC UF3SC120016K4S технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-247-4
- Технологии:SiCFET (Cascode SiCJFET)
- Пакет устройств поставщика:TO-247-4
- Рассеиваемая мощность (макс.):517W (Tc)
- Тип полевого транзистора:N-Channel
- Особенность полевого транзистора:-
- Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V
- Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:107A (Tc)
- Rds On (макс.) @ Id, Vgs:21mOhm @ 50A, 12V
- Vgs(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA
- Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:218 nC @ 15 V
- Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:7824 pF @ 800 V
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Vgs (макс.):±20V
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:Vendor omitted MSL Rating information
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.29.0095
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UF3SC120016K4S предоставлено UnitedSiC
В 1999 году небольшая группа исследователей из Ратгерского университета основала UnitedSiC. В 2010 году UnitedSiC построила пилотное производство чистой комнаты недалеко от Принстона, штат Нью-Джерси, чтобы усовершенствовать процессы SiC до стадии, на которой их можно было бы напрямую установить в коммерческом литейном производстве. На этом этапе UnitedSiC стала компанией без собственных производственных мощностей, сосредоточив свои ресурсы на проектировании продукции, НИОКР и поддержке клиентов. 3 ноября 2021 года Qorvo объявила о приобретении UnitedSiC, и UnitedSiC стала частью бизнеса Qorvo Infrastructure & Defense Products (IDP). Технология UnitedSiC вместе с дополнительными продуктами Qorvo Programmable Power Management и возможностями цепочки поставок мирового класса позволят UnitedSiC обеспечить превосходный уровень энергоэффективности в самых передовых приложениях. Клиенты по всему миру теперь используют полевые транзисторы UnitedSiC, полевые транзисторы JFET и диоды Шоттки в новых зарядных устройствах для электромобилей, источниках питания переменного и постоянного тока, твердотельных автоматических выключателях, приводах двигателей с регулируемой скоростью и инверторах солнечных батарей.
UnitedSiC Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.