Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.0000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
SemiQ GP2D005A120A
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
Производитель Модель :GP2D005A120A
Производитель :SemiQ
Dasenic :GP2D005A120A-DS
Документация :
GP2D005A120A Документация
GP2D005A120A ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
Запасы: 872
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0
Общая стоимость :$ 0.00
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GP2D005A120A information
SemiQ GP2D005A120A технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Discontinued at Digi-Key
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-220-2
- Пакет устройств поставщика:TO-220-2
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):5A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 5 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:10 µA @ 1200 V
- Емкость @ Vr, Ф:317pF @ 1V, 1MHz
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH Affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GP2D005A120A предоставлено SemiQ
SemiQ Inc. — американский разработчик и производитель силовых полупроводниковых приборов и материалов на основе карбида кремния (SiC), в том числе: силовые диоды SiC MPS, модули SiC, силовые полевые МОП-транзисторы SiC, индивидуальные модули SiC, кристаллы SiC Bare Die, индивидуальные пластины SiC N-Type Epi и т. д. SemiQ — частная компания, частично принадлежащая сотрудникам. SemiQ (ранее известная как Global Power Technologies Group) начала разрабатывать технологии на основе карбида кремния в 2012 году в своей штаб-квартире в Южной Калифорнии, где она также выращивает Epi и проектирует устройства. Недавно SemiQ выпустила свои диоды Шоттки SiC 3-го поколения (тип Merged PiN Schottky), которые включают улучшения в плане импульсного тока, влагостойкости, а также общей надежности и прочности. Продукция SemiQ используется в системах зарядки электромобилей, индукционном нагреве, источниках питания, генерациях энергии на топливных элементах и солнечных инверторах по всему миру. Кроме того, SemiQ предлагает экспертные знания в области преобразования энергии и имеет большой опыт проектирования инверторов мощностью 3,3 кВт, 6,6 кВт и выше. Производственные и инженерные мощности SemiQ расположены в Лейк-Форесте, Калифорния. Компания имеет полностью избыточную цепочку поставок SiC.
SemiQ Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
