Изображения предназначены только для справки.
1 : $70.1000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
SemiQ GHXS030A120S-D3
DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Производитель Модель :GHXS030A120S-D3
Производитель :SemiQ
Dasenic :GHXS030A120S-D3-DS
Документация :
GHXS030A120S-D3 Документация
GHXS030A120S-D3 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 70.1000 | $ 70.1 |
| 10+ | $ 57.8000 | $ 578 |
| 100+ | $ 48.9000 | $ 4890 |
Запасы: 1505
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 70.1
Общая стоимость :$ 70.10
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GHXS030A120S-D3 information
SemiQ GHXS030A120S-D3 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Chassis Mount
- Упаковка / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Пакет устройств поставщика:SOT-227
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.7 V @ 30 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:200 µA @ 1200 V
- Конфигурация диода:2 Independent
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
- Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):30A
- Время обратного восстановления (trr):-
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH Affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GHXS030A120S-D3 предоставлено SemiQ
SemiQ Inc. — американский разработчик и производитель силовых полупроводниковых приборов и материалов на основе карбида кремния (SiC), в том числе: силовые диоды SiC MPS, модули SiC, силовые полевые МОП-транзисторы SiC, индивидуальные модули SiC, кристаллы SiC Bare Die, индивидуальные пластины SiC N-Type Epi и т. д. SemiQ — частная компания, частично принадлежащая сотрудникам. SemiQ (ранее известная как Global Power Technologies Group) начала разрабатывать технологии на основе карбида кремния в 2012 году в своей штаб-квартире в Южной Калифорнии, где она также выращивает Epi и проектирует устройства. Недавно SemiQ выпустила свои диоды Шоттки SiC 3-го поколения (тип Merged PiN Schottky), которые включают улучшения в плане импульсного тока, влагостойкости, а также общей надежности и прочности. Продукция SemiQ используется в системах зарядки электромобилей, индукционном нагреве, источниках питания, генерациях энергии на топливных элементах и солнечных инверторах по всему миру. Кроме того, SemiQ предлагает экспертные знания в области преобразования энергии и имеет большой опыт проектирования инверторов мощностью 3,3 кВт, 6,6 кВт и выше. Производственные и инженерные мощности SemiQ расположены в Лейк-Форесте, Калифорния. Компания имеет полностью избыточную цепочку поставок SiC.
SemiQ Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
