Обратная связь
Русский

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $0.0796

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Nexperia USA Inc. PMZB350UPE,315

MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
part number has RoHS
Производитель Модель :PMZB350UPE,315
Производитель :Nexperia USA Inc.
Dasenic :PMZB350UPE,315-DS
Пользователи :
Описание : MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 0.0796$ 0.8
10000+$ 0.0398$ 398
20000+$ 0.0389$ 778
30000+$ 0.0383$ 1149
50000+$ 0.0377$ 1885
Запасы: 36127
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.0796
Общая стоимость :$ 0.08
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

PMZB350UPE,315 information

  • Nexperia USA Inc. PMZB350UPE,315 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Статус продукта:Active
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип крепления:Surface Mount
  • Упаковка / Кейс:3-XFDFN
  • Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет устройств поставщика:DFN1006B-3
  • Рассеиваемая мощность (макс.):360mW (Ta), 3.125W (Tc)
  • Тип полевого транзистора:P-Channel
  • Особенность полевого транзистора:-
  • Напряжение сток-исток ( Vdss):20 V
  • Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:1A (Ta)
  • Rds On (макс.) @ Id, Vgs:450mOhm @ 300mA, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id:950mV @ 250µA
  • Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:1.9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:127 pF @ 10 V
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
  • Vgs (макс.):±8V
  • Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
  • Регламент REACH:REACH is not affected
  • Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
  • Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PMZB350UPE,315 предоставлено Nexperia USA Inc.
Nexperia — голландская компания по производству полупроводников, основанная в 2017 году после отделения от NXP Semiconductors. Штаб-квартира Nexperia находится в Неймегене, Нидерланды, а производственные мощности находятся в Азии, Европе и США. Nexperia USA Inc. — дочерняя компания Nexperia, созданная для обслуживания клиентов в США. Компания предоставляет широкий спектр полупроводниковых решений для различных отраслей промышленности, включая автомобильную, мобильную, вычислительную, потребительскую и промышленную. Некоторые из продуктов, предлагаемых Nexperia USA Inc., включают диоды, транзисторы, устройства защиты от электростатического разряда, логические ИС и ИС управления питанием. Штаб-квартира компании находится в Калифорнии, а офисы продаж и инжиниринга расположены по всей стране. Nexperia USA Inc. предлагает техническую поддержку, услуги по проектированию и дистрибуцию продукции для клиентов в Северной Америке.
Nexperia USA Inc. Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ