Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.0000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Onsemi FDN5630-G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Производитель Модель :FDN5630-G
Производитель :Onsemi
Dasenic :FDN5630-G-DS
Документация :
FDN5630-G Документация
FDN5630-G ДокументацияПользователи :
Описание : MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
Запасы: 29
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0
Общая стоимость :$ 0.00
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
FDN5630-G information
Onsemi FDN5630-G технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Статус продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
- Пакет устройств поставщика:SOT-23-3
- Рассеиваемая мощность (макс.):500mW (Ta)
- Тип полевого транзистора:N-Channel
- Особенность полевого транзистора:-
- Напряжение сток-исток ( Vdss):60 V
- Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:1.7A (Ta)
- Rds On (макс.) @ Id, Vgs:100mOhm @ 1.7A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id:3V @ 250µA
- Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:10 nC @ 10 V
- Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:560 pF @ 15 V
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Vgs (макс.):±20V
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Классификационный номер экспортного контроля:OBSOLETE
- Регламент REACH:Vendor is not defined
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDN5630-G предоставлено Onsemi
Основанная в 1999 году, компания ON Semiconductor (Nasdaq: ON) фокусируется на автомобильных и промышленных конечных рынках, ускоряя изменения в таких мегатрендах, как электрификация и безопасность транспортных средств, устойчивые энергетические сети, промышленная автоматизация, а также 5G и облачная инфраструктура. Onsemi предлагает разнообразный портфель полупроводниковых продуктов, включая дискретные и силовые модули, управление питанием, формирование и управление сигналами, датчики, управление двигателями, пользовательские и ASSP, интерфейсы, беспроводное подключение, синхронизацию, логику и память. Благодаря высокодифференцированному и инновационному портфелю продуктов onsemi создает интеллектуальные технологии питания и датчиков, которые решают самые сложные мировые проблемы и лидируют в создании более безопасного, чистого и умного мира. Компания со штаб-квартирой в Аризоне, США, имеет надежную инфраструктуру, которая включает обширную сеть из 19 производственных площадок, 43 конструкторских центров и 8 центров разработки решений.
Onsemi Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
