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NTE Electronics Inc. NTE2386
MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Производитель Модель :NTE2386
Производитель :NTE Electronics Inc.
Dasenic :NTE2386-DS
Документация :
NTE2386 Документация
NTE2386 ДокументацияПользователи :
Описание : MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 204.0000 | $ 204 |
| 3+ | $ 184.4000 | $ 553.2 |
| 10+ | $ 163.0000 | $ 1630 |
| 25+ | $ 146.4000 | $ 3660 |
Запасы: 1497
MOQ :1 PCS
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NTE2386 information
NTE Electronics Inc. NTE2386 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-204AA, TO-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3
- 消費電力（最大）:125W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.2A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.2Ohm @ 3.4A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:80 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1300 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTE2386 предоставлено NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
NTE Electronics Inc. Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
