Обратная связь
Русский

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $9.6991

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Nexperia USA Inc. GAN063-650WSAQ

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
part number has RoHS
Производитель Модель :GAN063-650WSAQ
Производитель :Nexperia USA Inc.
Dasenic :GAN063-650WSAQ-DS
Пользователи :
Описание : GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 9.6991$ 9.7
10+$ 9.5630$ 95.63
30+$ 9.4270$ 282.81
50+$ 9.2910$ 464.55
100+$ 9.1550$ 915.5
Запасы: 3282
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 9.6991
Общая стоимость :$ 9.70
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GAN063-650WSAQ information

  • Nexperia USA Inc. GAN063-650WSAQ технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Статус продукта:Active
  • Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип крепления:Through Hole
  • Упаковка / Кейс:TO-247-3
  • Технологии:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Пакет устройств поставщика:TO-247-3
  • Рассеиваемая мощность (макс.):143W (Ta)
  • Тип полевого транзистора:N-Channel
  • Особенность полевого транзистора:-
  • Напряжение сток-исток ( Vdss):650 V
  • Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:34.5A (Ta)
  • Rds On (макс.) @ Id, Vgs:60mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id:4.5V @ 1mA
  • Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:15 nC @ 10 V
  • Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:1000 pF @ 400 V
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Vgs (макс.):±20V
  • Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
  • Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Регламент REACH:REACH Unaffected
  • Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
  • ХТС США:8541.29.0095
  • Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GAN063-650WSAQ предоставлено Nexperia USA Inc.
Nexperia — голландская компания по производству полупроводников, основанная в 2017 году после отделения от NXP Semiconductors. Штаб-квартира Nexperia находится в Неймегене, Нидерланды, а производственные мощности находятся в Азии, Европе и США. Nexperia USA Inc. — дочерняя компания Nexperia, созданная для обслуживания клиентов в США. Компания предоставляет широкий спектр полупроводниковых решений для различных отраслей промышленности, включая автомобильную, мобильную, вычислительную, потребительскую и промышленную. Некоторые из продуктов, предлагаемых Nexperia USA Inc., включают диоды, транзисторы, устройства защиты от электростатического разряда, логические ИС и ИС управления питанием. Штаб-квартира компании находится в Калифорнии, а офисы продаж и инжиниринга расположены по всей стране. Nexperia USA Inc. предлагает техническую поддержку, услуги по проектированию и дистрибуцию продукции для клиентов в Северной Америке.
Nexperia USA Inc. Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ