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Linear Integrated Systems Inc. LS830 SOIC 8L
ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO
Производитель Модель :LS830 SOIC 8L
Производитель :Linear Integrated Systems Inc.
Dasenic :LS830 SOIC 8L-DS
Документация :
LS830 SOIC 8L Документация
LS830 SOIC 8L ДокументацияПользователи :
Описание : ULTRA LOW LEAKAGE, LOW DRIFT, MO
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 27.6000 | $ 27.6 |
| 10+ | $ 19.3420 | $ 193.42 |
| 100+ | $ 14.6652 | $ 1466.52 |
| 500+ | $ 13.9000 | $ 6950 |
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LS830 SOIC 8L information
Linear Integrated Systems Inc. LS830 SOIC 8L технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - JFETs
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:500 mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3pF @ 10V
- 電圧 - ブレークダウン ( V( B R) G S S):40 V
- 電流 - ドレイン ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):-
- 消費電流 ( Id) - 最大:-
- 電圧 - カットオフ（ V G S オフ）@ Id:-
- 抵抗 - R D S(オン):-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0080
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
LS830 SOIC 8L предоставлено Linear Integrated Systems Inc.
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
Linear Integrated Systems Inc. Соответствующая продукция
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