Обратная связь
日本語
default

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $48.6000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS MIAA20WB600TMH

IGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2
part number has RoHS
Производитель Модель :MIAA20WB600TMH
Производитель :IXYS
Dasenic :MIAA20WB600TMH-DS
Пользователи :
Описание : IGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
20+$ 48.6000$ 972
Запасы: 1406
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 48.6
Общая стоимость :$ 48.60
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

MIAA20WB600TMH information

  • IXYS MIAA20WB600TMH технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:MiniPack2
  • パワー - 最大:100 W
  • サプライヤーデバイスパッケージ:MiniPack2
  • 構成:Three Phase Inverter with Brake
  • 入力:Three Phase Bridge Rectifier
  • 電流 - コレクター ( Ic) (最大):29 A
  • 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
  • 電流 - コレクターカットオフ(最大):1.1 mA
  • I G B Tタイプ:NPT
  • Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 20A
  • 入力容量 ( Cies) @ Vce:900 pF @ 25 V
  • N T Cサーミスタ:Yes
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MIAA20WB600TMH предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ